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全球速读：等离子体处理装置及调节基片边缘区域制程速率的方法_关于等离子体处理装置及调节基片边缘区域制程速率的方法介绍

时间：2023-02-05 13:39:36     来源：互联网


【资料图】

1、 《等离子体处理装置及调节基片边缘区域制程速率的方法》是中微半导体设备（上海）股份有限公司于2012年9月29日申请的专利，该专利公布号为CN103715049A，专利公布日为2014年4月9日，申请号为201210378282X，发明人是叶如彬、尹志尧、倪图强、周宁。

2、 《等离子体处理装置及调节基片边缘区域制程速率的方法》包括：一腔室；位于所述腔室内的基座，在所述基座的上方设置有静电夹盘，在所述静电夹盘上方放置有基片；位于所述腔室顶部的气体喷淋头，其同时也作为上电极，制程气体通过所述气体喷淋头进入所述腔室；设置于所述基座之中的下电极，并连接有第一射频电源；聚焦环，其设置于所述基片周围；边缘电极，其靠近所述基片的边缘区域，所述边缘电极连接有第二射频电源，移相器，其连接于所述第一射频电源和第二射频电源。《等离子体处理装置及调节基片边缘区域制程速率的方法》能够有效地补偿边缘效应，并且避免了由于施加于基片中心区域和基片边缘区域的电压距离较近产生的电弧放电和打火。

3、 2021年6月24日，《等离子体处理装置及调节基片边缘区域制程速率的方法》获得第二十二届中国专利金奖。

4、 （概述图为《等离子体处理装置及调节基片边缘区域制程速率的方法》摘要附图）

标签： 等离子体 处理装置 边缘效应 股份有限公司

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